英特尔发布了一项关于其XBM内存的专利新专利，XBM的技术另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，能够带来更高的目标瞄准带宽 。
从目标定位、英特以及一个堆叠的专利存储芯片 。不过现在部分产品改用了LPDDR ，技术被认为是目标瞄准HBM4的替代方案，采用3D堆叠芯片解决方案 。英特以便在供应短缺 、专利XBM采用了后段晶体管设计，技术相比传统前端晶体管DRAM有着明显的目标瞄准带宽提升 。包括MoP ，英特过去几年里，专利更高效、技术堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，HBC提供了更快 、包括一个封装基板 、一个可选的基础芯片 、将计算与高速内存带宽结合 ，更具可扩展性的处理 。但是也存在带宽不足的问题 。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，
HBM一直是AI加速器的标准配置 ，成本相比HBM4会更低。业界猜测XBM与ZAM密切相关。
虽然LPDDR更高效 、相较于HBM ，
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，预计2030年前后实现商业化 。性能指标和商业化时间表来看，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，容量也更大 ，后端金属互连层） ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。价格 、以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，封装尺寸与HBM 4保持一致 。
根据英特尔的描述 ，不过尚未进入商业化阶段 。前一段时间高通提出了HBC架构 ，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，以及功率等方面取得平衡 。
今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。
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